SiC IGBT红利难及,我国IGBT玩家能否拿下新能源汽车带来的百亿市场

2017-10-13 17:39:06 来源:EEFOCUS
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新能源汽车是当下的热门话题,随着国内“双积分”政策出台,新能源车迎来新一轮发展高潮。功率半导体占到新能源汽车中半导体用量的50%,而IGBT(绝缘栅双极晶体管)作为核心功率器件,成为这波红利下的受益者。

 

在开发之初,IGBT主要应用在电机、变换器(逆变器)、变频器、UPS、EPS电源、风力发电设备等工业控制领域。IGBT是能源转换与传输的核心器件,是电力电子装置的“CPU”。采用IGBT进行功率变换,能够提高用电效率和质量,具有高效节能和绿色环保的特点,是解决能源短缺问题和降低碳排放的关键支撑技术。


长期以来,IGBT技术主要被欧美、日本等国垄断。 在新能源、节能环保“十二五”规划等一系列国家政策措施的支持及市场的推动下,我国IGBT产业投入加大,取得巨大成绩,不过我国IGBT芯片90%以上的市场仍被国外企业所占据,垄断格局依然存在。下面我们就来说说IGBT的故事。

 

 

IGBT发展史
电力电子器件起着“信息电子电路”与“电力电子电路”之间的桥梁作用,实现电能的变换与控制。

 

尽管IGBT已被使用多年,但仍可称作新型的电力电子器件,由功率二极管、晶闸管、BJT、MOSFET发展而来,实现了从工业控制到信息电子的应用延伸。


1950~60年代,发明双极型器件SCR,GTR和GTO通态电阻很小,采用电流控制但控制电路复杂且功耗大;

1970年代,推出单极型器件VD-MOSFET,通态电阻很大,采用电压控制,控制电路简单且功耗小;

1980年代,MOSFET与BJT被结合起来进行研究,IGBT被发明,它集MOSFET驱动简单及BJI电流能力强于一身。

 

 

 
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作者简介
赵碧莹
赵碧莹

电子技术交流网编辑,网名小老虎。通信工程专业出身,喜欢混迹在电子这个大圈里。曾经身无技术分文,现在可以侃侃电子圈里那点事。喜欢和学生谈谈心情、聊聊理想,喜欢和工程师谈谈生活、聊聊工作。不求技术“上进”,只求结交“贵圈”的朋友!

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